时间：2025/5/28 13:48:19
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BUK763R8-80E是一款由安森美（onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。其额定电压为80V，能够满足大多数中低压应用场景的需求。
该MOSFET采用TO-263封装形式，这种封装具备良好的散热性能和电气特性，便于在紧凑的电路板设计中使用。此外，BUK763R8-80E还具有较低的栅极电荷和输出电容，从而提高了开关速度并降低了开关损耗。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：41A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：1450pF
功耗：175W
工作温度范围：-55℃至175℃
BUK763R8-80E的主要特点是其非常低的导通电阻，仅为8mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色，并能显著降低传导损耗。
其次，该器件具有快速的开关速度，栅极电荷较小，仅为45nC，有助于减少开关损耗。
此外，其额定电流高达41A，适合用于需要处理大电流的场景。
该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55℃到175℃，可以在恶劣环境下稳定运行。
最后，TO-263封装提供了出色的热性能，简化了散热设计。
BUK763R8-80E广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. 各种类型的DC-DC转换器，包括降压、升压及升降压转换器。
3. 工业自动化中的电机驱动和控制电路。
4. 汽车电子系统，例如电动助力转向和制动系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
6. 电池管理系统（BMS），用于保护和管理锂离子电池组。
BUK7Y1R9-80E, IRFZ44N, FDP5580
