IXGT40N60B2是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管,专为高电压和高电流应用设计。该器件采用了先进的Trench技术,提供较低的导通电阻和快速的开关性能。IXGT40N60B2适用于各种工业应用,如电源转换、电机控制和逆变器系统。
型号:IXGT40N60B2
类型:N-Channel MOSFET
最大漏极电流(Id):40A
最大漏-源电压(Vds):600V
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.15Ω
栅极电荷(Qg):典型值为95nC
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247AC
IXGT40N60B2具有多项优越特性,确保其在高性能应用中的可靠性和效率。
首先,其高电压和高电流能力使其适合用于高功率密度设计。600V的最大漏-源电压支持在高压环境下稳定工作,而40A的连续漏极电流能够处理较大的负载需求。
其次,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为0.15Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。这对于需要高效率和低发热的应用(如开关电源和DC-DC转换器)至关重要。
此外,IXGT40N60B2的栅极电荷(Qg)为95nC,提供了快速的开关性能,减少了开关损耗并提高了响应速度。这种特性在高频开关应用中尤为重要,能够显著提升整体性能。
最后,该器件采用了TO-247AC封装,这种封装形式不仅具有良好的散热性能,还便于安装和集成到各种电路板中。其工作温度范围为-55°C至+150°C,保证了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
IXGT40N60B2广泛应用于多个领域,包括但不限于工业电源、电机驱动、逆变器和UPS系统。由于其高功率处理能力和高效能特性,它也适用于太阳能逆变器和电动汽车充电设备。在这些应用中,IXGT40N60B2能够提供稳定的性能和长寿命,满足高要求的工作环境。
STP40N60C3, FQA40N60C, IRGP40N60A