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IXGT40N60B2 发布时间 时间:2025/8/6 7:07:15 查看 阅读:36

IXGT40N60B2是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管,专为高电压和高电流应用设计。该器件采用了先进的Trench技术,提供较低的导通电阻和快速的开关性能。IXGT40N60B2适用于各种工业应用,如电源转换、电机控制和逆变器系统。

参数

型号:IXGT40N60B2
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏极电流(Id):40A
  最大漏-源电压(Vds):600V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.15Ω
  栅极电荷(Qg):典型值为95nC
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247AC

特性

IXGT40N60B2具有多项优越特性,确保其在高性能应用中的可靠性和效率。
  首先,其高电压和高电流能力使其适合用于高功率密度设计。600V的最大漏-源电压支持在高压环境下稳定工作,而40A的连续漏极电流能够处理较大的负载需求。
  其次,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为0.15Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。这对于需要高效率和低发热的应用(如开关电源和DC-DC转换器)至关重要。
  此外,IXGT40N60B2的栅极电荷(Qg)为95nC,提供了快速的开关性能,减少了开关损耗并提高了响应速度。这种特性在高频开关应用中尤为重要,能够显著提升整体性能。
  最后,该器件采用了TO-247AC封装,这种封装形式不仅具有良好的散热性能,还便于安装和集成到各种电路板中。其工作温度范围为-55°C至+150°C,保证了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

应用

IXGT40N60B2广泛应用于多个领域,包括但不限于工业电源、电机驱动、逆变器和UPS系统。由于其高功率处理能力和高效能特性,它也适用于太阳能逆变器和电动汽车充电设备。在这些应用中,IXGT40N60B2能够提供稳定的性能和长寿命,满足高要求的工作环境。

替代型号

STP40N60C3, FQA40N60C, IRGP40N60A

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IXGT40N60B2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.7V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件