时间：2025/6/29 22:31:54
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SDP117HVTMD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高功率应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性。SDP117HVTMD 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：160A（Tc=25°C）
功耗(Pd)：200W
工作温度：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
导通电阻(Rds(on))：最大值 3.5mΩ @ Vgs=10V
SDP117HVTMD 的核心优势在于其卓越的电气性能和热管理能力。
首先，该器件采用先进的 Power MOSFET 技术，确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。
其次，其超低 Rds(on) 特性使得在高功率条件下，器件的发热显著降低，从而延长使用寿命并减少散热设计的复杂度。
此外，SDP117HVTMD 具有良好的抗雪崩击穿能力，适用于需要承受瞬态高压冲击的应用环境。
封装方面，TO-247 封装形式具备优良的热传导性能，适合高功率密度设计，并便于安装散热片或直接焊接至 PCB 板上。
最后，该 MOSFET 提供了快速开关特性，适用于高频切换应用，如同步整流、谐振转换器等，进一步提升系统性能。
SDP117HVTMD 主要应用于需要高电压和大电流承载能力的场合，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器；
2. 电动车辆（EV/HEV）充电系统与电池管理系统；
3. 工业用 DC-DC 转换器和逆变器；
4. 高功率马达驱动器和伺服控制系统；
5. 太阳能逆变器和储能系统中的功率开关元件；
6. 服务器电源、UPS（不间断电源）等高端电源设备。
STP150N10F7, IRFP4468PBF, IPP117N10N3, IPW90R1K5P6
