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S-1122B18PN-L8DTFG 发布时间 时间:2025/7/2 12:56:52 查看 阅读:11

S-1122B18PN-L8DTFG 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装技术以提高散热性能和可靠性。它适用于需要高效能、小尺寸和高频率操作的场景,例如电源适配器、无线充电器以及 DC-DC 转换器等。该型号支持高达 650V 的击穿电压,并具备快速开关速度和低导通电阻特性。

参数

额定电压:650V
  额定电流:18A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:30nC
  最大工作温度:-55°C 至 +150°C
  封装形式:L8DTFG
  结温:175°C

特性

S-1122B18PN-L8DTFG 提供卓越的性能表现,包括超低的导通电阻和极短的开关时间。这使得其在高频运行条件下仍然能够保持较高的效率,减少能量损耗。
  该产品还集成了过热保护和过流保护功能,提高了系统的整体安全性。此外,L8DTFG 封装有助于提升散热能力,确保长时间稳定运行。
  由于采用了 GaN 材料,这款晶体管具有更高的电子迁移率和更少的能量损失,使其成为传统硅基 MOSFET 的理想升级选择。

应用

该芯片广泛应用于各类高效率电源转换设备中,例如:
  1. USB PD 充电器和快充模块
  2. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器
  3. 智能家居中的小型化适配器
  4. 工业用电机驱动电路
  5. 无线充电发射端及接收端设备
  S-1122B18PN-L8DTFG 凭借其出色的性能指标,在消费类电子产品市场中占据重要地位。

替代型号

S-1122B18PN-H8DTRG
  S-1122B20PN-L8DTFG
  GXT650E18P4-D8

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S-1122B18PN-L8DTFG参数

  • 制造商Seiko Instruments
  • 产品种类低压降 (LDO) 调节器
  • 最大输入电压6.5 V
  • 输出电压1.8 V
  • 回动电压(最大值)0.47 V at 100 mA
  • 输出电流150 mA
  • 负载调节40 mV
  • 输出端数量1
  • 输出类型Fixed
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SON-5A
  • Input Voltage MIN+ 2 V
  • 线路调整率0.2 % / V
  • 最小工作温度- 40 C
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量3000
  • 电压调节准确度1 %