时间：2025/9/6 8:09:50
阅读：3
IXGT32N120A3 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS Corporation）制造的高功率、高电压 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的工业电源应用中。该器件具有优异的导通压降和开关损耗特性，适合在高电压和大电流环境下工作。其封装形式为 TO-247，便于散热和安装。
类型：N沟道IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：32A（在25°C时）
最大栅极-发射极电压（VGE）：±20V
导通压降（VCE_sat）：典型值2.1V（在IC=32A时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
短路耐受能力：有
IXGT32N120A3 采用先进的沟槽栅场阻断（Trench Field Stop）技术，实现了低导通压降和优异的开关性能之间的平衡。该器件具有良好的短路耐受能力，提高了在极端工况下的可靠性。其高抗雪崩能力和坚固的封装结构使其适用于高电压和高能量的应用场景。此外，该IGBT具有较低的开关损耗，有助于提高系统的整体能效。
该IGBT的栅极驱动要求较低，通常可在15V驱动电压下实现良好的导通性能。此外，其热阻较低，有助于在高功率应用中保持良好的散热性能。芯片内部的优化设计也使其在高频开关应用中表现出色，适用于逆变器、整流器和电源转换系统等场景。
在可靠性方面，IXGT32N120A3 经过了严格的测试与验证，符合工业级标准，适用于恶劣环境条件下的长期稳定运行。其封装材料具有良好的耐高温和抗老化性能，确保了器件的长寿命。
IXGT32N120A3 主要应用于工业电源系统，如变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机和感应加热设备等。它也可用于电动汽车充电设备、智能电网系统和高功率LED驱动电源等现代电子系统中。由于其高耐压和高电流能力，该器件在高压直流-交流转换器中也表现出色。
IXGH32N120A3, IXGT40N120A3, FF32N120ANDH5
