时间：2025/5/8 14:05:16
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NGTB50N60SWG 是一款由 Nexperia（前身为 NXP 的标准产品业务部）生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 DPAK 封装，适用于高电压和高效率应用场合。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和高雪崩能力，非常适合于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。
这款 MOSFET 的额定电压为 600V，能够承受较高的反向电压，同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。此外，它还具有出色的热性能和可靠性，确保在各种恶劣环境下稳定运行。
类型：N沟道 MOSFET
封装：DPAK (TO-252)
额定电压：600V
额定电流：50A
导通电阻：1.3Ω
栅极电荷：47nC
最大工作结温：175℃
存储温度范围：-55℃ 至 175℃
NGTB50N60SWG 具备以下显著特性：
1. 高额定电压：能够承受高达 600V 的漏源极电压，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 1.3Ω，可有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷和输出电荷，有助于实现高效能开关操作。
4. 高可靠性：通过严格的测试和验证，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
5. 热性能优越：DPAK 封装设计提供良好的散热能力，支持高功率密度应用。
6. 雪崩能力：能够承受一定的过载条件，提升系统的鲁棒性。
NGTB50N60SWG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 适配器
- 充电器
2. 电机驱动：
- 工业电机控制
- 家用电器驱动
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
4. 工业控制：
- 固态继电器
- 驱动电路
5. 汽车电子：
- 辅助电源
- 电动助力转向系统 (EPS)
IRFB50N60DPBF, FQR6P50U, STW83N6LLH5
