时间：2025/7/11 19:51:53
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GRT155R61A684KE01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效能量转换和开关控制的场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，从而优化了效率并降低了功耗。
这款器件采用了标准的 TO-263 封装形式，能够提供出色的散热性能，并且兼容多种应用需求。
类型：MOSFET
封装：TO-263
额定电压(Vdss)：650V
额定电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：68mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
最大工作温度范围：-55℃ to +175℃
功耗(Ptot)：210W
GRT155R61A684KE01D 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (68mΩ)，有助于减少传导损耗。
2. 高速开关能力，可实现高频操作以减小磁性元件体积。
3. 内置反向恢复二极管，提升在开关电路中的可靠性。
4. 支持高达 650V 的阻断电压，适用于高压应用场景。
5. 优秀的热稳定性，确保在极端环境下的可靠运行。
6. 提供高浪涌电流承受能力，增强了器件的鲁棒性。
GRT155R61A684KE01D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，例如 AC-DC 适配器和充电器。
2. 电机驱动器，用于工业自动化设备及家用电器。
3. 各种 DC-DC 转换器，包括降压或升压拓扑结构。
4. UPS 不间断电源系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率转换装置。
GRT155R61A684KE02D, IRFZ44N, FDP5560
