IXGT20N100是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。该器件结合了MOSFET的易驱动特性与BJT的低导通压降优势,适用于工业电机控制、逆变器、电源转换和电能质量控制等领域。
类型:IGBT
集电极-发射极击穿电压(VCES):1000V
额定集电极电流(IC):20A
工作温度范围:-55°C至+150°C
栅极-发射极电压范围:±20V
短路耐受能力:有
封装形式:TO-247
导通压降(VCEsat):约2.5V(典型值)
输入电容(Cies):约2000pF
输出电容(Coes):约400pF
反向恢复时间(trr):约1.5μs
IXGT20N100具备出色的开关性能和导通性能,适用于高电压和高功率应用。其主要特性包括:
1. **高电压耐受能力**:1000V的VCES额定值使其适用于高压系统,如变频器和UPS系统。
2. **高温稳定性**:能够在+150°C的结温下稳定工作,适合高热负荷环境。
3. **快速开关特性**:具备较低的输入电容和较快的开关速度,有助于减少开关损耗,提高系统效率。
4. **短路耐受能力**:内置短路保护功能,提高了系统的可靠性。
5. **栅极驱动简单**:采用MOSFET的栅极驱动方式,简化了驱动电路设计。
6. **低导通压降**:约2.5V的VCEsat降低了导通损耗,提高了能效。
7. **反向恢复性能**:在高频开关应用中表现出良好的反向恢复特性,有助于减少EMI干扰。
8. **封装设计**:TO-247封装提供了良好的散热能力,适合高功率密度应用。
IXGT20N100广泛应用于多种电力电子系统中,包括:
1. **工业电机控制**:用于变频器和伺服驱动器中的功率转换。
2. **可再生能源系统**:如太阳能逆变器和风力发电变流器中的功率开关。
3. **不间断电源(UPS)**:用于高频逆变器部分,提高电源转换效率。
4. **焊接设备**:作为功率开关用于控制焊接电流。
5. **电能质量控制**:用于有源滤波器和动态电压调节器中。
6. **电动汽车充电设备**:用于充电桩中的DC-AC或DC-DC转换模块。
7. **感应加热**:用于高频电源系统中,实现高效能量传输。
FGA25N120, IRG4PC50UD, STGF20NC100