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GA0603Y222MXAAC31G 发布时间 时间:2025/6/5 23:03:12 查看 阅读:8

GA0603Y222MXAAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于需要高效率和低功耗的电路设计中。该芯片采用先进的制造工艺,具有优异的开关特性和较低的导通电阻,能够显著提高系统的整体性能。
  该型号主要适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。其封装形式为行业标准型,便于集成到各种复杂电路中。

参数

类型:功率 MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):180A
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0603Y222MXAAC31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关速度,能够适应高频应用环境。
  3. 高度稳定的电气性能,在极端温度条件下依然保持良好的表现。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强芯片的抗静电能力。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 封装坚固耐用,适合长时间高负荷运行。

应用

这款芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器的设计。
  2. 各类电机驱动应用,如电动车窗、电动座椅等。
  3. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
  4. 工业控制设备中的负载切换和功率管理。
  5. 电池管理系统 (BMS),用于保护锂电池或铅酸电池免受过流和短路损害。
  6. 其他需要高效功率处理的电子设备。

替代型号

GA0603Y222MXAAC31H, IRF540N, FDP5500

GA0603Y222MXAAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-