类型：N沟道MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：40V
　　连续漏极电流（Id）：26A
　　导通电阻（Rds(on)）：约4.5mΩ（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：表面贴装型（具体封装可能为LFPAK或类似）
　　功率耗散（Pd）：约125W（可能因散热条件而异）

MDD26-04N1B模块具有多个优势，首先是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其次，该模块的高电流承载能力使其适用于大功率应用，如电源供应器和电机控制电路。此外，MDD26-04N1B采用了紧凑型表面贴装封装，节省了PCB空间，并提高了组装效率。该模块还具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。由于其高栅极电压容限（±20V），MDD26-04N1B在驱动过程中具有较高的抗干扰能力，降低了因过电压而损坏的风险。此外，该模块的设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频工作场景。最后，MDD26-04N1B符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计要求。

MDD26-04N1B广泛应用于多种高功率和高频场景。首先，在开关电源（SMPS）中，该模块可作为主功率开关，用于高效的能量转换。其次，在DC-DC转换器中，MDD26-04N1B常用于升压或降压拓扑结构，以实现高效的电压调节。此外，该模块也适用于电机驱动器，特别是在电动汽车、工业自动化和机器人技术中，作为功率开关来控制电机的运行。MDD26-04N1B还可用于电池管理系统（BMS），用于控制电池充放电过程，提高电池使用寿命和安全性。在LED照明系统中，该模块也可用于恒流驱动电路，确保LED稳定工作。另外，该模块也可用于UPS（不间断电源）、逆变器以及光伏逆变器等新能源相关设备。

SiR142DP, BSC010N04LS, IPB018N04N, FDS4410A, IRF6718