时间：2025/8/6 1:52:04
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IXGR50N60A2U1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率、高压 N 沟道 MOSFET，适用于高效率电源转换器、开关电源（SMPS）和电机控制应用。这款 MOSFET 设计用于在高电压和高电流条件下提供卓越的性能和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω
栅极电荷（Qg）：120nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 150°C
IXGR50N60A2U1 的设计旨在提供高效的开关性能和低导通损耗，适用于高功率应用。其高耐压能力使其非常适合用于 600V 级别的电源转换应用。该器件具有低 Rds(on) 值，减少了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，它还具备高雪崩能量耐受能力，提高了在极端条件下的可靠性。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持较低的结温。其栅极驱动要求较低，使得控制电路设计更加简单。IXGR50N60A2U1 在高温环境下依然能保持稳定运行，适合用于工业级应用，如电机驱动、逆变器和不间断电源（UPS）系统。
该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、工业电机控制、逆变器、UPS 系统、LED 照明驱动器以及需要高压、高功率开关能力的其他系统中。其高效能和高可靠性使其成为现代电力电子系统中的理想选择。
IRF840, FDPF50N60, STP55N60M2
