时间：2025/7/11 20:10:59
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PSMN7R6-60PS 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由 Nexperia（前身为恩智浦半导体的分立元件和逻辑业务部门）生产。该器件采用小型化的封装形式 (SO8)，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。其设计旨在提供低导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关性能，广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
该 MOSFET 的主要特点是具备 60V 的耐压能力以及非常低的导通电阻，从而可以显著降低系统中的功率损耗，并提升整体效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：31A
导通电阻：7.6mΩ
栅极电荷：32nC
总功耗：25W
工作温度范围：-55°C to 150°C
封装类型：SO8
PSMN7R6-60PS 具有以下特性：
1. 极低的导通电阻，能够在高电流负载条件下减少功率损耗，提升效率。
2. 快速开关速度，确保在高频开关应用中具有优异的表现。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 小型化 SO8 封装，适合空间受限的设计需求。
6. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C)，适应多种环境条件。
7. 提供稳定的电气性能，有助于简化电路设计并提高系统的可靠性。
PSMN7R6-60PS 可以用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 电信和数据通信设备中的功率管理模块。
7. 汽车电子中的各类功率转换与控制单元。
PSMN3R6-60PSL, PSMN9R0-60PS
