晶体管类型：双 NPN 晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：225 mW
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据档位不同）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

MMBD770W 采用双晶体管结构，将两个 NPN 晶体管集成在同一芯片上，节省了 PCB 空间并提高了电路集成度。其高电流增益（hFE）范围广泛，从 110 到 800 不等，可根据应用需求选择适当的档位。该器件的增益带宽积达到 100 MHz，适用于高频放大和射频应用。此外，MMBD770W 的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，具有良好的耐压能力和稳定性。由于采用 SOT-23 小型封装，该器件适用于高密度 PCB 布局和便携式设备。其工作温度范围宽广，适用于工业级和汽车电子应用。
　　MMBD770W 的内部两个晶体管共享相同的电气特性，因此可以用于差分放大器、推挽输出级和数字开关电路。该器件的低饱和压降（Vce_sat）有助于减少功耗并提高效率，适用于电池供电设备和低功耗应用。此外，其高可靠性与长期稳定性也使其广泛用于通信设备、音频放大器和传感器接口电路中。

MMBD770W 主要用于高频放大电路、射频（RF）电路、数字开关电路和通用模拟电路。它常见于无线通信模块、音频放大器、传感器信号调理电路、便携式电子设备和汽车电子系统中。由于其双晶体管结构，该器件也适用于差分放大器、推挽输出级和逻辑门电路设计。此外，MMBD770W 还可用于电源管理电路、LED 驱动器和小型电机控制电路。

MMBD770W-A, MMBD770W-7, BC847BDS, MMBT2222A