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IXGR40N120B2D1 发布时间 时间:2025/8/6 3:09:38 查看 阅读:17

IXGR40N120B2D1 是英飞凌(Infineon)生产的一款IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,主要用于高功率应用。该模块设计用于工业电机驱动、可再生能源系统以及电力转换设备等应用场景。IXGR40N120B2D1采用了先进的沟道技术,具有优异的开关性能和导通损耗特性,使其在高频率工作条件下依然能够保持良好的效率和稳定性。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):40A
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  短路耐受能力:6μs
  最大功耗:170W
  存储温度范围:-40°C至+150°C

特性

IXGR40N120B2D1的主要特点包括高效能的IGBT芯片技术、低导通压降(VCE_sat)、快速开关速度以及良好的短路耐受能力。其沟道结构设计优化了载流子分布,降低了导通损耗,并且在高工作频率下保持了较低的开关损耗。此外,该模块内置了反向并联二极管,支持双向电流流动,适用于多种拓扑结构,如全桥、半桥和斩波电路。模块的封装设计确保了良好的热管理和机械稳定性,适用于恶劣的工作环境。该器件还具备较高的可靠性,能够在长时间高负载运行的情况下保持稳定性能。

应用

IXGR40N120B2D1广泛应用于工业电机驱动、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、风力发电变流器以及电力储能系统等领域。其优异的性能和可靠性使其成为高功率密度和高效率电源转换设备的理想选择。此外,该模块也可用于不间断电源(UPS)、焊接设备和电镀电源等工业应用。

替代型号

FS40SM120F1B3_B11,FF400R12KS4_B11

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IXGR40N120B2D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)-
  • 功率 - 最大-
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件