SG5851DZ 是一款由 ON Semiconductor 生产的高性能、双极型、低噪声、高频晶体管。该器件属于 NPN 类型,适用于需要高增益和低噪声性能的射频(RF)和中频(IF)放大器应用。SG5851DZ 在高频范围内表现出色,适合用于通信设备、广播接收器以及测试仪器等电子系统中。其封装形式为 SOT-23,便于在 PCB 设计中使用。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压:30V
最大集电极电流:100mA
最大功耗:300mW
过渡频率:125MHz
电流增益(hFE):最小 35(在 2mA 时)
噪声系数:1.0dB(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
SG5851DZ 晶体管具有多项优异的电气特性,使其在射频和中频放大应用中表现出色。
首先,该器件具有低噪声系数,典型值为 1.0dB,这使其非常适合用于前端信号放大器,尤其是在需要高灵敏度的无线通信系统中。低噪声系数有助于提高信号接收的质量,减少干扰和失真。
其次,SG5851DZ 的过渡频率(fT)为 125MHz,意味着它能够在较高的频率范围内提供良好的增益和稳定性。这使得该晶体管适用于中频放大器和射频调谐电路。
此外,SG5851DZ 具有较高的电流增益(hFE),在 2mA 集电极电流下最小为 35,能够提供足够的信号放大能力。该晶体管的最大集电极电流为 100mA,最大集电极-发射极电压为 30V,具有良好的耐压能力,适用于多种电源供电环境。
SG5851DZ 采用 SOT-23 封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适应于多种工业和商业应用环境。
SG5851DZ 晶体管广泛应用于需要高增益、低噪声和高频性能的电子系统中。
最常见的应用之一是用于射频(RF)和中频(IF)放大器。由于其低噪声系数和高过渡频率,SG5851DZ 适用于无线通信设备的前端接收电路,如 FM 收音机、无线数据传输模块和卫星接收器。
此外,该晶体管也常用于音频放大器的前置级,以提高信号的信噪比。在测试和测量设备中,SG5851DZ 可用于构建低噪声放大电路,以确保测试信号的准确性。
SG5851DZ 还可用于振荡器和混频器电路,在通信系统中实现信号调制和解调。其良好的频率响应和稳定性使其成为高频电路设计中的理想选择。
在消费类电子产品中,该晶体管可用于音频设备、无线遥控器和无线传感器网络中的信号放大和处理电路。
2N3904, BFQ59, PN2222A