SFA28S10L288K-F是一款由Microsemi(现为Microchip子公司)制造的非易失性SRAM(NVS RAM)器件,结合了SRAM的高速访问特性和非易失性存储器的特性。该器件在断电时能够通过内部电源(如电池或电容)或外部电源接口保持数据不丢失,适用于需要高速数据存储和数据持久性的应用场景。
类型:非易失性SRAM(NVS RAM)
容量:1Mbit(128K x 8)
访问时间:10ns
工作电压:3.3V或5V可选
封装形式:28引脚SSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
数据保持电流:低功耗模式下典型值为10μA
写入周期耐久性:无限次(由外部电源或内部电池供电决定)
SFA28S10L288K-F的关键特性包括极低的数据保持功耗,使其非常适合电池供电或低功耗应用。其10ns的访问速度确保了高速数据读写能力,与标准高速SRAM兼容。该器件支持自动存储器切换功能,在主电源失效时能够无缝切换至备用电源,从而确保数据完整性。此外,该NVS RAM具有高可靠性和长期数据保持能力,通常在没有外部电源的情况下,数据可保持10年以上。器件内部集成电源监控电路,能够自动检测主电源状态并在电源异常时启动数据保护机制,防止数据损坏。
该器件广泛应用于需要在断电情况下保持关键数据的系统中,例如工业控制系统、医疗设备、通信设备、智能电表、数据记录器以及嵌入式系统。此外,它也适用于需要快速存储和恢复数据的场合,如高速缓存、固件存储和系统状态保存。
SFA28S10L288K-F的替代型号包括Cypress的CY14B101N和Renesas的IDT49LPC18X系列,这些型号在功能和电气特性上相似,但在封装、功耗或访问速度方面可能有所不同,具体选用需根据设计需求进行匹配。