IXGQ120N33 是由 IXYS 公司生产的一款高功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),主要应用于需要高电压和大电流的工业电力电子设备中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,使其在高功率应用中具有出色的性能。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):3300V
最大集电极电流(IC):120A
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:模块化封装(如:EasyPAC或类似工业标准封装)
导通压降(VCEsat):典型值约为2.1V @ IC=120A
短路耐受能力:具备短路保护能力
输入电容(Cies):约50nF
输出电容(Coes):约10nF
反向恢复时间(trr):约1.5μs
IXGQ120N33 IGBT 具备一系列高性能特性,适用于高功率应用。其最大集电极-发射极电压为3300V,确保了在高压环境下的稳定运行,而最大集电极电流为120A,可满足大功率负载的需求。器件采用了先进的IGBT技术,使其导通压降(VCEsat)保持在较低水平,典型值约为2.1V,从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
该器件的工作温度范围从-55°C到+150°C,表现出良好的热稳定性,适用于各种苛刻的工业环境。此外,IXGQ120N33 还具备一定的短路耐受能力,能够在短时间内承受短路电流而不损坏,从而提高了系统的可靠性。
该IGBT的输入电容(Cies)约为50nF,输出电容(Coes)约为10nF,这些参数优化了开关性能,降低了开关损耗。其反向恢复时间(trr)约为1.5μs,在高频开关应用中表现出良好的动态响应能力。封装形式通常为模块化封装(如EasyPAC或其他工业标准封装),便于散热和安装,适用于模块化设计和集成应用。
IXGQ120N33 主要应用于需要高功率、高电压和高可靠性的工业设备中,例如高压变频器、电力牵引系统、智能电网、不间断电源(UPS)、电机驱动器以及可再生能源系统(如风力发电和太阳能逆变器)。由于其具备较高的电压和电流容量,IXGQ120N33 特别适合用于大功率逆变器和整流器的设计,能够有效提升系统的效率和稳定性。
在工业自动化领域,该IGBT可用于高性能电机控制和驱动系统,提供精确的功率调节和高效的能量转换。同时,其优良的短路保护能力和热稳定性,使其在电力电子系统中具有较高的安全性和可靠性。
在电力牵引系统中,IXGQ120N33 可用于列车变流器和电力机车的主传动系统,确保在复杂工况下依然保持稳定运行。此外,在智能电网和储能系统中,该器件也可用于功率调节模块,提高电网的稳定性和能源利用率。
IXGQ120N33T4S、IXGQ120N33T4、IXGN120N33T