时间：2025/8/9 8:25:05
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2SK1945-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能开关操作的电源管理系统。这种MOSFET设计用于高电流和高电压的应用场景，能够提供稳定的性能和可靠性。2SK1945-01S采用了先进的平面条形沟道技术，使其在高温和高电流条件下仍能保持优良的性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：5A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω @ VGS=10V
封装类型：TO-92
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
功率耗散（PD）：30W
2SK1945-01S具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其高击穿电压允许在高压应用中使用，而栅极-源极电压的高耐受性则确保了在各种工作条件下的稳定性。该MOSFET的TO-92封装形式适合于PCB安装，并提供了良好的散热性能。此外，2SK1945-01S还具备快速开关特性，这对于减少开关损耗和提高系统效率至关重要。这款MOSFET在高温环境下也能保持稳定的工作状态，使其适用于各种严苛的工作环境。其平面条形沟道设计不仅提高了电流处理能力，还增强了热稳定性。
2SK1945-01S通常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、马达控制器以及各种电源管理系统。它在电池供电设备、汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中都有广泛的应用。由于其高可靠性和优良的电气性能，2SK1945-01S也常被用于需要长时间连续工作的设备中。
2SK2698, 2SK3018
