时间：2025/8/6 6:22:57
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IXGK72N60A3H1 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压、高电流应用。该器件采用先进的平面技术，提供高效率和高可靠性，适用于工业电源、开关电源、电机控制以及 UPS 系统等。IXGK72N60A3H1 采用了 TO-247 封装形式，便于安装和散热。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：72A
最大漏源电压：600V
栅极驱动电压：10V 或 15V
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
功率耗散：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXGK72N60A3H1 具备出色的导通性能和低导通电阻，这使得其在高负载条件下依然能保持较低的功率损耗。该器件的耐压能力高达 600V，能够适应大多数中高压应用的需求。此外，其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，确保在高温环境下也能稳定工作。
该 MOSFET 的栅极驱动电压支持 10V 和 15V 两种选择，为不同驱动电路的设计提供了灵活性。在高温环境下，IXGK72N60A3H1 仍能保持稳定的电气性能，具有良好的热稳定性和耐用性。
此外，该器件具备良好的短路耐受能力，有助于提升系统的整体稳定性和安全性。IXGK72N60A3H1 还采用了先进的芯片设计技术，使得其在高频开关应用中表现优异，降低了开关损耗并提高了系统的整体效率。
IXGK72N60A3H1 主要用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。其典型应用包括工业电源、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机控制与变频器、太阳能逆变器、电池管理系统以及高压 DC-DC 转换器等。在这些应用中，该 MOSFET 可以有效降低功率损耗，提高系统效率，并在高温和高负载条件下保持稳定运行。
由于其优异的导通特性和热稳定性，IXGK72N60A3H1 也广泛应用于需要频繁开关操作的系统中，如高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路。它还可以用于驱动大功率负载的场合，如加热元件控制、电焊设备和电动工具等。
IXGH72N60A3H1, IXFP72N60P, IRG4PC50UD
