时间：2025/6/19 10:50:26
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FN21X823K500PXG是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高电压、大电流场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于电源管理、电机驱动和工业自动化等领域。
其设计旨在优化效率和散热性能，同时具备出色的可靠性和耐用性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：820V
连续漏极电流(Id)：50A
栅极电荷(Qg)：65nC
导通电阻(Rds(on))：0.04Ω
工作温度范围：-55°C to 175°C
封装形式：TO-247
FN21X823K500PXG具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关性能，可实现高频操作，适用于开关电源和其他高频应用。
3. 高额定电压和电流能力，确保在高压和大电流环境下依然稳定。
4. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能提供可靠的操作。
5. 内置ESD保护功能，增强了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这款功率MOSFET广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机控制器
4. 太阳能逆变器
5. 工业驱动系统
6. 不间断电源(UPS)
FN21X823K500PXG凭借其卓越的性能，在这些应用中能够提供高效的功率转换和可靠的控制功能。
IRFP260N
STP50NF82
FDP178N80A
