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IXGK50N60AU1 发布时间 时间:2025/8/6 8:56:08 查看 阅读:24

IXGK50N60AU1 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高电流能力的 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极晶体管)器件,适用于高功率应用。该 IGBT 具有低导通压降和低开关损耗的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。其主要设计目标是在高电压和高电流条件下实现稳定的性能。

参数

类型:N沟道 IGBT
  集电极-发射极击穿电压(VCES):600V
  额定集电极电流(IC):50A
  栅极-发射极电压(VGE):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  短路耐受能力:有
  功率耗散:典型值 160W

特性

IXGK50N60AU1 的核心特性是其在高电压和高电流条件下的优异性能。该 IGBT 具有低导通压降,这意味着在导通状态下能够减少能量损耗,从而提高系统的整体效率。此外,其开关损耗较低,有助于在高频工作条件下实现更高效的操作。
  该器件的封装形式为 TO-247,这是一种广泛应用于功率器件的封装类型,能够提供良好的热管理和电气性能。同时,IXGK50N60AU1 还具备一定的短路耐受能力,能够在短暂的短路条件下保持正常工作,提高了系统的可靠性。
  IXGK50N60AU1 的栅极-发射极电压范围为 ±20V,确保在驱动过程中不会因过高的电压而损坏。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,使其能够在多种环境条件下稳定运行,适用于工业、汽车和消费类电子产品中的高功率应用。

应用

IXGK50N60AU1 主要应用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。典型的应用包括电机驱动器、变频器、电源转换器、不间断电源(UPS)以及各种高功率开关电源。由于其具备低导通压降和低开关损耗,该 IGBT 特别适合用于高频开关应用,如逆变器系统和功率因数校正(PFC)电路。
  此外,该器件也适用于需要高可靠性和耐久性的工业设备,如焊接机、电镀电源和工业加热系统。在新能源领域,IXGK50N60AU1 也可用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
  汽车电子系统中,该 IGBT 可用于电动车辆的电机控制系统和充电器模块,满足高功率密度和高效率的设计要求。

替代型号

STGF50N60D2ST, IRG4PC50UD, FGA60N65SMD

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IXGK50N60AU1参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264AA
  • 包装管件