类型：碳化硅（SiC）MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　栅极电荷（Qg）：约70nC
　　短路耐受能力：有
　　封装尺寸：TO-247-3

MMFA60R180S6ZTH 具备多项卓越的性能特性。首先，其碳化硅材料使其在高频工作条件下依然保持低开关损耗，从而提高整体系统的能效。其次，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），减少了导通损耗并提升了功率密度，非常适合于高电流应用。此外，MMFA60R180S6ZTH 还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，有助于简化散热设计并提升系统可靠性。
　　该器件还具备出色的短路耐受能力，能够在异常工况下提供更高的安全裕量，从而增强系统的稳定性。其TO-247封装形式便于安装和散热管理，适用于多种工业标准电路板布局。MMFA60R180S6ZTH 的栅极驱动电压范围宽泛，通常可在15V至18V之间正常工作，兼容多种栅极驱动方案，便于设计者进行系统集成。

MMFA60R180S6ZTH 广泛应用于需要高效、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如，在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及电机驱动逆变器。在可再生能源领域，该器件适用于光伏逆变器和储能系统中的功率转换模块。此外，该器件也可用于工业电源、不间断电源（UPS）、服务器电源以及高密度电源适配器等应用场景。
　　由于其优异的高频性能和低开关损耗，MMFA60R180S6ZTH 也非常适合用于高频开关拓扑结构，如LLC谐振转换器、相移全桥（PSFB）拓扑和同步整流电路。这些特性使得该器件成为提高能效、缩小系统体积和提升系统可靠性的理想选择。

SiC MOSFET 替代型号包括英飞凌的 IMW120R045M1H 和 IMZ120R045M1H，以及安森美半导体的 NVHL060N090SC1 和 NVHL080N090SC1。