时间：2025/8/6 7:19:04
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IXGK120N60C2是一款由IXYS公司生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统中。该器件设计用于工作在高电压和大电流条件下，适用于工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电池充电器和各种开关电源应用。
类型：功率MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：约30mΩ
栅极电荷（Qg）：约120nC
封装形式：TO-247AC
工作温度范围：-55°C至150°C
IXGK120N60C2具有低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其高电流承载能力和优异的热性能使其能够在高负载条件下稳定工作。该MOSFET采用了先进的沟道技术，提供快速开关性能，减少开关损耗，从而提高整体系统效率。
此外，该器件具有优良的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。TO-247AC封装形式提供了良好的散热性能，便于在高功率应用中使用。IXGK120N60C2还具备低栅极电荷特性，有助于实现更高的开关频率，适用于高频电源设计。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，通常可在10V至20V之间工作，确保了在各种驱动电路中的兼容性。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，为系统提供了额外的安全保障。
IXGK120N60C2广泛应用于各种高功率电源系统中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池管理系统、电机驱动器以及高频开关电源等。其高效率和高可靠性使其成为现代电力电子系统中的关键组件。
STP120N6F60, IRFP4868PBF, FDPF6N60
