时间：2025/6/17 17:07:13
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FF1200R17KP4_B2是一款基于IGBT技术的功率半导体模块，适用于工业驱动、可再生能源和电力转换等高功率应用场景。该模块采用先进的封装设计，优化了热性能和电气性能，从而提高了系统的可靠性和效率。它集成了1200V的额定电压和17A的额定电流，并具有低开关损耗和高频率操作能力。
该模块使用半桥拓扑结构，内部包含两个IGBT芯片及其对应的续流二极管（FWD）。此外，它还支持短路保护和温度监测功能，适合用于光伏逆变器、UPS系统和电机驱动等领域。
额定电压：1200V
额定电流：17A
开关频率范围：最高20kHz
结温范围：-40°C至175°C
封装类型：B2封装
导通压降：约1.8V（典型值）
开关损耗：30mJ（典型值）
反向恢复时间：100ns（典型值）
FF1200R17KP4_B2采用了薄晶圆技术和优化的场终止层设计，显著降低了开关损耗和导通电阻。其卓越的热管理和低寄生电感使其非常适合高频应用。此外，该模块具备良好的抗电磁干扰性能和出色的浪涌电流承受能力。
模块中的IGBT芯片和续流二极管经过严格筛选和匹配，确保了模块在动态和静态条件下的均衡表现。通过内置的NTC热敏电阻，用户可以实时监控模块温度，从而实现更精确的热管理。
这款IGBT模块广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 工业电机驱动
- 光伏逆变器
- 风力发电变流器
- 不间断电源（UPS）系统
- 电动汽车充电站
- 焊接设备
由于其高效率和可靠性，FF1200R17KP4_B2特别适合需要长时间稳定运行的场景。
FF1200R17KE4_B2
FG1200R17KE4_B2
FF1200R17ME4_B2
