UMH2N 时间：2025/8/17 4:25:38 阅读：6

UMH2N是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电流和高电压的开关应用。这种晶体管采用高密度单元设计，提供低导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高效率。UMH2N通常用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电器以及电机控制等应用。该器件具有快速开关速度和良好的热性能，适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为7.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

UMH2N MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具备出色的导通性能和开关特性。其低RDS(on)特性使得在高电流应用中导通损耗极低，从而提高了整体效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达到100V，适用于多种高压应用。其封装形式（如TO-247或TO-263）提供了良好的散热性能，有助于保持器件在高功率运行时的稳定性。
　　该MOSFET还具有快速开关速度，适合高频开关应用，减少开关损耗并提高系统效率。UMH2N的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，方便与各种控制器和驱动器配合使用。此外，该器件具备较高的抗雪崩能力和热稳定性，确保在极端工作条件下也能可靠运行。
　　UMH2N在制造过程中采用了严格的测试标准，确保其在不同工作环境下的稳定性和可靠性。其高可靠性使其适用于汽车电子、工业自动化、通信设备和消费电子产品等多种应用领域。

应用

UMH2N MOSFET主要应用于需要高电流和高电压处理能力的电路中。例如，它常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。在电池管理系统中，UMH2N可用于高效能的充放电控制。此外，该器件也广泛应用于电机控制、UPS系统、太阳能逆变器和工业自动化设备等高功率电子系统中。由于其高可靠性和良好的热性能，UMH2N也适用于汽车电子系统，如电动车辆的功率控制模块和车载充电器等。