时间：2025/8/6 8:01:12
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IXGH36N60A3D4是一款高性能的功率MOSFET，广泛应用于高功率和高频率的电力电子设备中。这款MOSFET由IXYS公司生产，采用了先进的沟道技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其主要设计用于工业电源、电动汽车、可再生能源系统以及各种需要高效能功率转换的场合。IXGH36N60A3D4的封装形式为TO-247，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：36A
最大漏极-源极电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：0.155Ω
栅极电荷：85nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXGH36N60A3D4的主要特性包括低导通电阻，能够显著减少功率损耗并提高效率。其高耐压能力（600V）使其适用于各种高电压应用。该MOSFET的高开关速度有助于减少开关损耗，从而在高频应用中表现出色。此外，其TO-247封装设计提供了良好的散热性能，确保器件在高功率操作下的稳定性。
该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。它的栅极电荷较低（85nC），使得驱动电路更加简单且高效。由于其优异的性能指标，IXGH36N60A3D4常被用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统中。
IXGH36N60A3D4广泛应用于多个领域，包括工业电源、UPS系统、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及电机驱动器。在工业电源中，该MOSFET可用于高效率的DC-DC转换器和AC-DC转换器。在太阳能逆变器中，它能够提供高效的功率转换，从而提高整个系统的能效。此外，该器件也适用于各种高功率开关电源和功率因数校正（PFC）电路。
IXGH40N60A3D1, IXGH30N60A3D1
