时间：2025/4/28 11:15:17
阅读：23
LBSS4350SY3T1G 是一款由三星（Samsung）生产的 NAND 闪存芯片，采用 3D TLC 技术制造，广泛应用于存储卡、固态硬盘（SSD）和嵌入式存储设备中。该芯片具有高密度存储能力和较低的功耗，适合需要大容量数据存储的应用场景。
这款芯片的设计结合了先进的制程工艺和多层单元（MLC/TLC）技术，能够在有限的空间内提供更高的存储容量，同时保证数据读写速度和可靠性。
容量：256GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
I/O 引脚数：24
擦写次数：3000 次（典型值）
数据保留时间：1年（在105°C条件下）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +125°C
LBSS4350SY3T1G 使用了三星领先的 V-NAND 技术，通过垂直堆叠多个存储单元层，有效提升了存储密度并降低了单位成本。
该芯片支持 Toggle DDR 接口协议，可实现更快的数据传输速率，最高可达 400 MT/s。
其内置 ECC（错误检查与纠正）功能能够显著提高数据可靠性，确保长时间运行中的数据完整性。
此外，该芯片还具备低功耗设计，非常适合对电源效率要求较高的移动设备和物联网应用。
它符合 JEDEC 标准，并兼容多种主流存储控制器，便于系统集成和开发。
LBSS4350SY3T1G 广泛应用于消费类电子产品领域，例如智能手机、平板电脑和数码相机等的内部存储解决方案。
同时，它也适用于工业级和企业级存储产品，如 SSD 和 eMMC 模块。
凭借其高可靠性和大容量特点，该芯片还可用于视频监控、汽车电子和边缘计算等高性能需求场景。
K9WBG0U1AM, KBGS4R1M1F, THGAMRUCD8BA8I
