IXGH30N60C3D1 是一款由IXYS公司生产的高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛应用于需要高效、高功率处理能力的电力电子设备中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,适用于变频器、逆变器、UPS系统以及工业电机控制等场景。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(Vce):600V
集电极电流(Ic):30A
工作温度范围:-40°C至150°C
封装形式:TO-247
短路耐受能力:有
最大耗散功率:200W
栅极驱动电压:±20V
导通压降(Vce_sat):约1.5V(典型值)
输入电容(Cies):约2000pF
短路电流能力:60A
IXGH30N60C3D1 的核心特性包括其高电流承载能力、优异的热性能和强大的短路耐受能力,使其在高应力工作条件下依然保持稳定运行。该模块采用了先进的沟道技术,提高了导通效率并降低了开关损耗。其TO-247封装设计提供了良好的散热性能,同时便于在各种工业设备中安装和使用。
此外,该IGBT具备较低的导通压降(Vce_sat),有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统整体效率。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路设计,并具备良好的抗干扰能力。
在可靠性方面,IXGH30N60C3D1 设计有内置的快速恢复二极管,能够有效抑制反向电压,保护器件免受损坏。该模块还具备良好的电磁兼容性(EMC),适用于复杂电磁环境中的工业应用。
该器件的开关特性也十分优异,具备较低的开关损耗和快速的开关响应时间,适用于高频开关应用,如变频器和逆变器系统。
IXGH30N60C3D1 主要应用于工业电机控制、变频器、UPS不间断电源、焊接设备、电能质量调节装置、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等高功率电子系统。其高可靠性和高效能特性使其成为工业自动化、能源转换和电力传动系统中的关键组件。
FGA30N60UDN0F, IRGPC30KD, FGH30N60LSD