类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：6.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23、SOT-223等

DSR01S30S/LDSR01S30ST5G MOSFET具有多个关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为28mΩ，这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件的最大漏极电流为6.5A，能够在较高负载条件下稳定运行。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路设计。其快速开关特性可减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关应用。在热性能方面，该器件具有良好的散热能力，能够在高温环境下可靠运行。
　　该MOSFET采用SOT-23和SOT-223等小型封装形式，适合在空间受限的PCB布局中使用。同时，其高可靠性和长使用寿命使其适用于工业控制、消费电子、汽车电子等多种应用场景。

该MOSFET广泛应用于多种电子系统中，包括但不限于电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及LED照明驱动电路。由于其高效的导通特性和快速的开关响应，它特别适用于需要高效能和低功耗设计的便携式设备和电源适配器。
　　在工业自动化领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出开关电路，实现对执行器和传感器的精确控制。在汽车电子系统中，DSR01S30S/LDSR01S30ST5G可用于车身控制模块、车载充电系统以及电动助力转向系统的电源管理部分。
　　此外，该MOSFET还可用于逆变器、UPS（不间断电源）和太阳能光伏系统中的功率转换模块，确保系统在各种负载条件下的稳定运行。

Si2302DS, FDS6679, IRF7309, FDMS86101