2SK3728-01MR 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于高频率和高效能的电源转换系统中,如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及各种开关电源设备。这款MOSFET特别适用于需要高效率和快速开关性能的场合。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):120A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):约2.9mΩ(当Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOP Advance(H)
2SK3728-01MR 具有以下显著特性:
1. **低导通电阻**:其导通电阻(Rds(on))非常低,约为2.9mΩ,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
2. **高电流承载能力**:该器件能够承受高达120A的连续漏极电流,适用于高功率应用。
3. **快速开关特性**:由于其内部结构优化,2SK3728-01MR具备快速的开关性能,适用于高频开关电源和电机控制电路。
4. **高耐压能力**:最大漏源电压为30V,能够承受较高的电压应力,确保在高压环境下稳定工作。
5. **优异的热性能**:采用先进的封装技术,具有良好的散热性能,能够在高功率密度环境下可靠运行。
6. **宽工作温度范围**:支持-55°C至150°C的工作温度范围,适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。
7. **可靠性高**:通过严格的测试和认证,确保在长期使用中具有高稳定性和耐用性。
2SK3728-01MR MOSFET广泛应用于以下领域:
1. **电源管理**:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,利用其低Rds(on)和高电流能力提高电源转换效率。
2. **电机控制**:用于直流电机驱动、电动工具和机器人控制等,其快速开关特性有助于提高控制精度和响应速度。
3. **电池管理系统**:适用于电池充放电管理、电池保护电路,提供高可靠性和低功耗特性。
4. **汽车电子**:如车载逆变器、电动助力转向系统(EPS)、车载充电器(OBC)等,其宽温度范围和高耐压能力满足汽车环境的需求。
5. **工业自动化**:用于PLC、伺服驱动器、工业电源等设备,提供高效、稳定的功率控制方案。
6. **消费类电子产品**:如高性能电源适配器、LED驱动器等,帮助实现紧凑化设计和节能目标。
Si7490DP, IPB013N04NG, 2SK3728-01MR 可与2SK3728-01MC、2SK3728-01MS等型号互换使用