VRH5001NTX 时间：2025/6/22 10:56:16 阅读：4

VRH5001NTX 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率开关应用设计。它采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用领域。
　　该器件通过优化栅极电荷和输出电容参数，能够在高频工作条件下保持较低的功耗，从而提升整体系统效率。

参数

型号：VRH5001NTX
　　类型：N沟道 MOSFET
　　VDS（漏源极击穿电压）：50V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.2mΩ（在 VGS=10V 时）
　　IDS（连续漏极电流）：147A
　　栅极电荷（Qg）：36nC
　　总栅极电荷（Qgs）：38nC
　　输入电容（Ciss）：3200pF
　　输出电容（Coss）：890pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263-3（D2PAK）

特性

VRH5001NTX 的主要特点是其超低的导通电阻（RDS(on)），仅为 1.2mΩ（在 VGS=10V 时）。这使得它非常适合需要高效功率转换的应用场景。此外，它的高电流承载能力（最大 IDS 为 147A）以及快速的开关速度（得益于低栅极电荷和优化的电容特性）使其成为大功率电源管理的理想选择。
　　这款 MOSFET 还具备出色的热稳定性，可以在极端温度环境下可靠运行（-55°C 至 +175°C）。其 D2PAK 封装形式提供了良好的散热性能，并且兼容表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
　　其他重要特性包括：
　　- 高效率：
　　由于 RDS(on) 极低，在高负载电流下功耗显著减少。
　　- 快速开关：
　　低栅极电荷确保更快的开启/关闭时间，降低开关损耗。
　　- 强大的电流处理能力：
　　支持高达 147A 的连续漏极电流，满足高功率需求。
　　- 稳定性：
　　宽温度范围内的稳定表现，适用于工业及汽车环境。

应用

VRH5001NTX 广泛应用于以下领域：
　　1. DC-DC 转换器：
　　作为主开关管或同步整流器使用，实现高效功率转换。
　　2. 开关电源（SMPS）：
　　在隔离式和非隔离式 SMPS 中充当功率开关。
　　3. 电机驱动：
　　控制直流无刷电机或其他类型的电机运行。
　　4. 负载开关：
　　用于动态负载切换，确保快速响应和低损耗。
　　5. 电池管理系统（BMS）：
　　提供高效的充电和放电路径控制。
　　6. 工业自动化：
　　包括 PLC 输出模块、继电器驱动等应用场景。
　　7. 汽车电子：
　　涉及发动机控制单元（ECU）、电动助力转向系统（EPS）以及其他高压电路部分。