时间：2025/8/6 8:34:28
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IXGH28N60B是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高功率和高频应用。这款MOSFET的额定漏极电流为28A，漏源击穿电压为600V，使其非常适合用于需要高效率和高性能的电源转换系统。该器件采用了先进的平面技术，提供卓越的导通和开关性能，同时具备出色的热稳定性。IXGH28N60B采用TO-247封装形式，便于散热并适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：28A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大工作温度：150°C
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.22Ω
封装类型：TO-247
IXGH28N60B具有多项先进特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，该器件的导通电阻非常低，仅为0.22Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，IXGH28N60B采用了优化的平面技术，使得器件在高电压和高电流条件下仍能保持稳定的性能。其热阻较低，有助于提高热稳定性并延长器件寿命。
该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏，从而提高系统的可靠性。同时，其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准MOSFET驱动器，简化了驱动电路的设计。
由于其TO-247封装形式，IXGH28N60B易于安装在散热片上，确保在高功率运行条件下保持良好的散热性能。
IXGH28N60B广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备。在开关电源中，该MOSFET可用于主开关器件，提供高效率和高可靠性；在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率。
此外，该器件还可用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统，以实现高效的能量转换。在电机驱动器中，IXGH28N60B能够承受较大的瞬态电流，确保电机在启动和负载变化时仍能稳定运行。
由于其优异的性能和可靠性，IXGH28N60B也常用于消费类电子产品中的高功率模块，如大功率LED照明系统和家用电器的电源管理模块。
STP28NM60ND, FQA28N60C, IRFGB40N60HD1
