PFD65R360G 时间：2025/8/6 23:04:29 阅读：19

PFD65R360G 是一款由英飞凌（Infineon）推出的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET），专为高效率、高频和高温工作条件下的电力电子应用而设计。该器件基于先进的碳化硅半导体技术，具有极低的导通损耗和开关损耗，适用于电动汽车（EV）充电系统、可再生能源逆变器、工业电源以及高密度功率转换器等应用。

参数

类型：碳化硅 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：650V
　　最大漏极电流 Id（连续）：16A
　　导通电阻 Rds(on)：360mΩ
　　栅极电荷 Qg：48nC
　　反向恢复电荷 Qrr：0nC
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

PFD65R360G 的核心优势在于其基于碳化硅的材料特性，提供了比传统硅基 MOSFET 更优越的性能。该器件具有更高的热导率，使得在高功率密度设计中能够更有效地散热。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的能效。此外，该器件具备极低的开关损耗，支持高频操作，有助于减小无源元件（如电感和变压器）的尺寸，提升系统的功率密度。
　　该MOSFET采用了增强型（常关）结构，确保在栅极驱动故障或断电情况下具有更高的安全性。其无反向恢复电荷的特性也使其在同步整流和桥式拓扑中表现出色，减少了开关噪声和电磁干扰（EMI）。PFD65R360G 还具有良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的稳定性。
　　从封装角度来看，TO-247 封装形式具备良好的散热性能和机械稳定性，适合用于高功率应用场景。该封装还支持简单的PCB布局和散热器安装，有助于提升系统可靠性和维护性。

应用

PFD65R360G 主要应用于需要高效能、高频操作和高可靠性电源系统的领域。包括但不限于：电动汽车车载充电器（OBC）、直流快充桩、太阳能逆变器、储能系统、服务器电源、工业电机驱动器、高频DC-DC转换器以及各种高密度功率模块设计。其优越的性能也使其成为替代传统硅基MOSFET和IGBT的理想选择，尤其是在需要提升效率和减小体积的设计中。