时间：2025/8/6 10:17:50
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IXGH24N170是一款高功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛用于高电压和高电流的应用中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，适合于需要高效能和可靠性的电力电子系统。
类型：IGBT模块
集电极-发射极电压（Vce）：1700V
额定集电极电流（Ic）：24A
最大工作温度：150°C
封装形式：双列直插式（DIP）
导通压降（Vce_sat）：约2.1V（典型值）
输入电容（Cies）：约2.3nF
短路耐受能力：5μs（最大）
IXGH24N170具有出色的热稳定性和较高的短路耐受能力，确保在恶劣的工作环境下也能可靠运行。其低导通压降特性可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该模块采用了先进的沟道技术，提供更快的开关速度，从而减少开关损耗。该器件还具有良好的短路保护能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。IXGH24N170的封装设计使其易于安装和散热，适用于多种工业应用。
在可靠性方面，IXGH24N170采用了高质量的内部材料和先进的制造工艺，能够长时间在高温和高电压环境下稳定工作。其内部结构优化设计减少了寄生电感，提升了高频工作的稳定性。该模块还具备良好的抗电磁干扰（EMI）性能，有助于减少系统中的噪声和干扰，提高系统的整体性能。
IXGH24N170常用于工业电机驱动、逆变器、UPS系统、电焊机、太阳能逆变器以及电力传输和分配系统等高功率应用中。
IXGH24N170B4, IXGH24N170D1
