时间：2025/8/6 6:28:39
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IXGA12N60CD1是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电压、高频率开关应用，具有优异的导通和开关性能，适用于各种高效率功率转换设备。
类型：N沟道
最大漏极电流：12A
最大漏极-源极电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω
栅极阈值电压：3V至5V
最大栅极-源极电压：±20V
最大功耗：83W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXGA12N60CD1具有低导通电阻，可以减少功率损耗并提高效率。其高压耐受能力使其适用于600V级别的功率转换系统。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适合用于高频开关电路，减少开关损耗。
器件采用了先进的平面技术，提高了热稳定性和长期可靠性。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
IXGA12N60CD1的封装设计便于散热，适用于高功率密度设计。其高栅极绝缘强度确保了在复杂电磁环境中的稳定运行，广泛用于工业电源、电机控制和逆变器系统。
该MOSFET广泛应用于电力电子变换器、工业电机驱动器、开关电源（SMPS）、逆变器系统、UPS不间断电源以及照明控制系统等场合。其高电压和高电流能力使其成为工业和消费类高功率设备的理想选择。
STP12N60M5, FQP12N60C, IRFGB40N60HD
