容量：8GB
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.1V / 0.6V
　　频率：3200Mbps
　　位宽：16位
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

H9HCNNN8KUMLHR-NMN 的核心特性之一是其低功耗设计，支持现代移动设备的长续航需求。LPDDR4架构使其能够在1.1V的主电压和0.6V的辅助电压下运行，显著降低了功耗。
　　该芯片的数据传输速率达到3200Mbps，支持双倍数据速率技术，使得数据在每个时钟周期的上升沿和下降沿都能传输，从而提高了整体性能。此外，其16位的数据总线宽度进一步提升了数据吞吐量。
　　采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，使得芯片在保持高性能的同时具有更小的物理尺寸，非常适合空间受限的应用场景。
　　这款DRAM芯片还支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power Down），可根据系统需求动态调整功耗，优化电池寿命。
　　其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行，适用于工业级和消费级应用。

H9HCNNN8KUMLHR-NMN 主要用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式系统以及车载信息娱乐系统等对内存性能和功耗有严格要求的设备。它能够为这些设备提供快速的数据访问速度和稳定的运行性能，同时有效延长电池续航时间。
　　在智能手机中，该芯片可支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行等高性能需求场景。在平板电脑和便携式设备中，其低功耗特性有助于提升设备的整体使用体验。此外，在车载系统中，该DRAM芯片能够在宽温环境下稳定运行，满足车载导航、多媒体播放等应用的需求。
　　由于其高集成度和出色的性能表现，H9HCNNN8KUMLHR-NMN 也适用于需要高速数据处理能力的工业控制设备和物联网终端。

H9HKNNN8KUMUBCR-NEC, H9HP53AL7KDMQR-NVU, H9H8NNU8JAMR-NME