时间：2025/9/14 10:30:50
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PIMZ2,115 是一款由 STMicroelectronics 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高功率和高效率的应用场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高可靠性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域。PIMZ2,115 采用 DPAK（TO-252）封装形式，适合表面贴装工艺。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-11A（@ VGS = -4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：
@ VGS = -4.5V：最大 0.026Ω
@ VGS = -2.5V：最大 0.040Ω
@ VGS = -1.8V：最大 0.065Ω
功率耗散（PD）：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DPAK（TO-252）
PIMZ2,115 的最大特点在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在 -4.5V、-2.5V 和 -1.8V 的栅极驱动电压下均可实现较低的导通电阻，支持低压驱动应用，适用于现代低电压电源管理系统。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力，适合在高负载环境下使用。
其先进的沟槽式结构设计不仅提高了电流密度，还增强了器件的耐用性和稳定性。DPAK 封装提供了良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和散热管理。该器件符合 RoHS 环保标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。
在开关特性方面，PIMZ2,115 具有快速的开关速度和低输入电容（CISS），能够有效减少开关损耗并提高响应速度。这对于高频开关电源和同步整流应用尤为重要。
PIMZ2,115 主要用于需要高效功率管理的电子设备中。典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理模块、便携式设备电源控制、工业自动化设备、服务器电源系统等。由于其低压驱动能力和低导通电阻，它特别适用于需要节能和高效能转换的场景，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备的电源管理电路。
此外，该器件也可用于电机控制、LED 照明驱动、逆变器和 UPS（不间断电源）等应用。其高可靠性和热稳定性使其成为汽车电子系统中理想的功率开关元件。
SI4435DY, IRML2803, FDMS86101, NTR4501NT1G
