时间：2025/7/24 21:26:32
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IXFX98N50P3 是由 IXYS 公司制造的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流应用中。该器件设计用于开关电源、电机控制、逆变器、UPS 系统和其他高功率电子设备中，具有高效率和快速开关性能。
漏源电压 Vds: 500V
漏极电流 Id: 75A
导通电阻 Rds(on): 98mΩ
栅极电压 Vgs: ±30V
功率耗散 Pd: 300W
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: TO-247AC
IXFX98N50P3 的主要特性包括高耐压能力和低导通电阻，使其在高压应用中能够高效运行并减少能量损耗。其设计采用了先进的 MOSFET 技术，具有卓越的热稳定性和可靠性。此外，该器件具备快速的开关特性，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
该 MOSFET 还具有出色的抗雪崩击穿能力，使其能够在极端条件下保持稳定运行。其高电流承载能力和良好的热管理设计使其适用于高功率密度的电路设计。同时，IXFX98N50P3 的 TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，并且易于安装在散热片上以提高热传导效率。
IXFX98N50P3 主要应用于高功率开关电源、DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化控制系统以及太阳能逆变器等电力电子系统中。由于其高电压和高电流能力，该器件在需要高效率和高可靠性的电源管理方案中表现尤为出色。
STP75N50UFD, IRFP460LC, FDPF98N50, FQP75N50
