时间：2025/5/15 17:19:27
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SI2308BDS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了小型化的 SOT-23 封装，适合用于需要高效率和低功耗的开关应用。该器件在较低的栅极驱动电压下能够实现良好的导通性能，非常适合便携式设备、电源管理电路以及信号切换等场合。
这款 MOSFET 的最大特点是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在功率转换和负载开关应用中具有出色的效率表现。同时，由于其紧凑的封装形式，它也特别适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏电流：1.5A
脉冲漏电流：3.4A
导通电阻（Rds(on)）：160mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷：3.5nC
总电容：95pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI2308BDS 提供了非常低的导通电阻值，在 4.5V 栅极驱动电压下仅为 160mΩ，从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
此外，它的 SOT-23 封装体积小巧，便于集成到高度密集的 PCB 设计中。
器件支持高达 1.5A 的连续漏电流，并且能够承受更高的脉冲电流，增强了其在瞬态条件下的可靠性。
该 MOSFET 的栅极驱动要求与现代微控制器或专用驱动 IC 的输出兼容，简化了设计流程。
其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，保证了在极端环境中的稳定性。
SI2308BDS 广泛应用于各种低功率和中功率电子设备中，包括但不限于：
- 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关
- 电池供电系统的保护电路
- 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流
- LED 驱动器中的电流控制
- 数据通信设备中的信号切换
- 消费类电子产品中的 DC/DC 转换器
SI2302DS, SI2307DS
