时间：2025/8/28 9:37:48
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PQ1R28 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
漏极电流（Id）：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：0.13Ω（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V至2.5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-23
PQ1R28 具备多项关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.13Ω，显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它直接关系到热量的产生和能源的利用效率。
其次，PQ1R28 的漏源电压为30V，漏极电流为2.8A，能够承受较大的电压和电流应力，确保在高负载条件下的稳定运行。其栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，使得该器件能够轻松地由低电压控制器（如微处理器或逻辑IC）驱动，从而简化了驱动电路的设计。
PQ1R28 主要应用于需要高效能功率管理的电子设备中。在DC-DC转换器中，PQ1R28 可以作为开关元件，用于升压或降压电路，以实现高效的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性使其在电源转换过程中减少了能量损耗，提高了整体效率。
Si2302DS, 2N7002, FDV301N
