时间：2025/8/6 9:28:01
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IXFX44N80Q3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高电流的开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及工业自动化设备中。这款 MOSFET 的主要特点是具有较高的漏极电流承载能力、较低的导通电阻（Rds(on)）以及耐高压的能力。IXFX44N80Q3 采用 TO-247 封装，便于安装散热器，适用于高功率应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电压 Vds：800V
最大源极电压 Vgs：±30V
最大连续漏极电流 Id：44A
导通电阻 Rds(on)：0.175Ω（典型值）
功率耗散 Pd：300W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-247
IXFX44N80Q3 是一款专为高功率开关应用而设计的 MOSFET，其核心特性之一是具备高达 800V 的漏极-源极击穿电压，使其适用于高压电源转换器和逆变器。其导通电阻 Rds(on) 仅为 0.175Ω，这在高电流应用中可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的最大连续漏极电流可达 44A，适合用于大功率负载的控制。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-247，这种封装不仅提供了良好的热传导性能，还便于安装散热器，从而确保在高功率条件下稳定工作。IXFX44N80Q3 的栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 至 20V 之间工作，使其兼容多种驱动电路设计。
为了增强可靠性，IXYS 采用了先进的平面 DMOS 工艺制造 IXFX44N80Q3，这种工艺技术能够提供良好的热稳定性和抗过载能力。该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），这在高频开关应用中尤为重要，因为低 Qg 可以减少开关损耗并提高效率。此外，IXFX44N80Q3 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路情况下提供一定的保护作用。
IXFX44N80Q3 常用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、逆变器、工业电机驱动器以及高压 LED 照明控制系统。在这些应用中，该 MOSFET 可以作为主开关器件，负责快速切换高电压和大电流，以实现高效的能量转换。此外，IXFX44N80Q3 也适用于需要高可靠性和高稳定性的工业自动化设备和电力电子系统。
STF20N80K5, IRFGB40N80K, FQA40N80
