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BAS29,215 发布时间 时间:2025/9/14 21:06:27 查看 阅读:16

BAS29,215 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的双通道高速开关二极管,属于小信号二极管系列。该器件采用SOT-23封装,适用于高频信号处理、逻辑门电路、电压隔离、箝位电路以及各种低功耗电子设备中。BAS29,215由两个独立的二极管组成,具有低正向压降、高开关速度和良好的温度稳定性等特点,是许多数字和模拟电路中的关键元件。

参数

类型:双通道开关二极管
  封装类型:SOT-23
  最大正向电流(IF):100 mA
  最大反向电压(VR):75 V
  正向压降(IF=10mA时):1.25 V(最大)
  反向漏电流(VR=75V时):100 nA(最大)
  工作温度范围:-65°C ~ +150°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C
  结电容(@VR=0V):5 pF(典型值)
  反向恢复时间(trr):4 ns(最大)

特性

BAS29,215 二极管具备多项优异的电气和物理特性,适合在多种高频和低功耗应用场景中使用。其双通道结构允许在同一封装内实现两个独立的开关功能,节省了PCB空间并简化了电路设计。
  首先,BAS29,215 具有非常高的开关速度,反向恢复时间(trr)最大仅为4 ns,使其非常适合用于高频整流、信号解调和快速切换电路中。在数字逻辑电路中,这种高速特性有助于提升系统响应速度和信号完整性。
  其次,该器件的正向压降较低,在10 mA电流下最大为1.25 V,有助于降低功耗并提高效率。这在电池供电设备或对能效要求较高的应用中尤为重要。
  此外,BAS29,215 的最大反向电压为75 V,正向电流能力为100 mA,满足大多数低功率开关和保护电路的需求。其反向漏电流在最大反向电压下仅为100 nA,确保了在高阻断电压下的稳定性。
  该器件采用SOT-23封装,具有良好的热稳定性和机械强度,适用于表面贴装工艺,便于自动化生产。其工作温度范围为-65°C至+150°C,适用于工业级和汽车电子应用环境。
  综上所述,BAS29,215 是一款高性能、多功能的双通道开关二极管,广泛适用于数字电路、通信设备、电源管理、信号隔离以及各种需要高速开关性能的电子系统中。

应用

BAS29,215 由于其高速特性和双通道结构,广泛应用于以下领域:
  1. 数字逻辑电路中的信号隔离与箝位,如TTL、CMOS等逻辑门电路中用于防止信号干扰或电压过冲。
  2. 高频整流电路,如DC-DC转换器、开关电源中的辅助整流电路。
  3. 信号解调和检波电路,如在射频(RF)接收前端中用于提取调制信号。
  4. 保护电路中,如用于防止电源反接、静电放电(ESD)保护或瞬态电压抑制(TVS)电路。
  5. 多路复用器、解码器、缓冲器等模拟和数字混合电路中的信号控制。
  6. 汽车电子系统,如车身控制模块、仪表盘、车载娱乐系统等需要高可靠性和高温稳定性的场合。
  7. 工业控制系统中的传感器信号调理、接口隔离与保护电路。

替代型号

BAS29,315; BAS29L; BAS16; 1N4148; BAT54

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BAS29,215参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型雪崩
  • 电压 - (Vr)(最大)90V
  • 电流 - 平均整流 (Io)250mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 200mA
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)50ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 90V
  • 电容@ Vr, F35pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6000-6