型号：IXFH9N80Q
　　制造商：IXYS
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）：9A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：36A
　　功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：1.1Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.0V ~ 7.0V
　　栅极电荷（Qg）：100nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

IXFH9N80Q具备卓越的高压阻断能力和优异的开关特性，使其成为高电压功率转换应用中的理想选择。其800V的漏源击穿电压允许器件在极端电压条件下仍保持稳定工作，有效防止因瞬态过压导致的损坏。该MOSFET采用优化的单元设计和精确的掺杂工艺，实现了低导通电阻（Rds(on)），典型值仅为1.1Ω，在高电流负载下显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着驱动电路所需的能量更少，从而简化了栅极驱动设计并降低了驱动功耗，特别适用于高频开关场合。器件的快速开关速度减少了开关过渡时间，进一步抑制了开关损耗，提升了电源系统的整体能效。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和长期可靠性，得益于其坚固的TO-247封装结构和高效的内部热传导路径，能够将芯片产生的热量迅速传递至外部散热装置，避免局部过热引发的热失控问题。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在恶劣环境温度下稳定运行，适用于工业级和严苛环境下的电力电子设备。此外，器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，能够在感性负载切换过程中提供有效的续流路径，减少电压尖峰和电磁干扰（EMI）。该体二极管经过优化设计，具备较低的反向恢复电荷（Qrr），有助于提升系统在硬开关拓扑中的可靠性。IXFH9N80Q还具备良好的抗雪崩能力和dv/dt耐受能力，增强了其在突发故障或瞬态应力下的鲁棒性，适用于高可靠性要求的应用场景。

IXFH9N80Q广泛应用于各类高电压、中等电流的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在大功率AC/DC和DC/DC转换器中作为主开关元件，利用其高耐压和低损耗特性实现高效能量转换。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧开关或辅助电源模块，支持将太阳能板产生的直流电高效转换为交流电并入电网。在不间断电源（UPS）系统中，IXFH9N80Q常用于逆变器级和整流/升压电路，保障在市电中断时持续供电。此外，该MOSFET也适用于电机驱动器，尤其是通用工业电机控制中的半桥或全桥拓扑结构，提供精确的功率开关功能。
　　其他应用场景还包括感应加热设备、电焊机、高压直流电源、激光电源模块以及各种工业自动化控制系统中的功率调节模块。由于其具备良好的动态响应和热稳定性，IXFH9N80Q也可用于高频谐振变换器和准谐振反激式电源设计中。在照明领域，该器件可用于高强度气体放电灯（HID）镇流器或LED驱动电源中的高压开关环节。其高可靠性和长寿命特性使其成为工业级和商业级设备中不可或缺的核心功率器件。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的高压开关控制，或作为电子负载和测试设备中的功率控制元件。

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　　 "IXFH10N80Q",
　　 "IXFH8N80Q",
　　 "STP9NK80ZFP",
　　 "FQP9N80",
　　 "K25T80"
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