RF7907TR13-5K 时间：2025/8/16 1:46:14 阅读：22

RF7907TR13-5K 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的射频功率晶体管，采用 GaAs HBT（异质结双极晶体管）技术制造。该器件设计用于高频应用，具有高线性度和高可靠性，适用于无线基础设施、蜂窝通信基站、宽带放大器系统等场景。RF7907TR13-5K 采用 SOT-89 封装，便于在射频电路中集成，并提供良好的热管理和功率稳定性。

参数

类型：GaAs HBT 射频功率晶体管
　　最大工作频率：2.7 GHz
　　最大输出功率：7 W
　　增益：约 13 dB
　　工作电压：+5 V
　　工作电流：1300 mA
　　封装类型：SOT-89
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF7907TR13-5K 是一款高性能射频晶体管，其核心特性之一是高线性度，这对于减少多载波通信系统中的互调失真至关重要。该器件采用 GaAs HBT 技术，结合优化的内部结构设计，使其在高频段（最高可达 2.7 GHz）仍能保持良好的放大性能和稳定性。
　　另一个显著特性是其高可靠性，适用于严苛的工业和通信环境。该晶体管能够在较宽的工作温度范围内（-40°C 至 +85°C）稳定运行，适应各种户外和工业应用条件。同时，其 SOT-89 封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，有助于提高器件的长期稳定性和耐用性。
　　此外，RF7907TR13-5K 具有较高的输出功率能力（可达 7 W），适用于需要高功率输出的无线基站、功率放大模块以及宽带通信系统。其典型增益为 13 dB，输入/输出阻抗匹配为 50 Ω，简化了射频电路的设计与匹配网络的构建。

应用

RF7907TR13-5K 主要应用于无线通信基础设施，包括蜂窝基站、WiMAX 系统、DAS（分布式天线系统）和远程射频头等设备。其高线性度和高输出功率特性使其非常适合用于功率放大器前端，特别是在需要高效、高稳定性的多载波通信系统中。
　　此外，该器件也适用于测试设备、工业控制系统的射频信号放大模块、无线传感器网络以及军事和航空航天通信系统。由于其良好的频率响应和稳定性，RF7907TR13-5K 也可用于定制化的射频功率放大器设计和宽带通信设备中。