时间：2025/8/6 7:13:21
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IXFX44N50F 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和高效能的特点。该器件主要应用于电源转换、电机控制、DC-DC 转换器和逆变器等高功率场合。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：500V
漏极电流 Id（最大值）：44A
导通电阻 Rds(on)：0.12Ω（最大值）
栅极阈值电压 Vgs(th)：2V ~ 4V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247AC
IXFX44N50F 具备出色的导通性能和开关特性，低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率。其高耐压能力（500V）使其适用于高电压应用场景。此外，该 MOSFET 采用了先进的平面技术，具有良好的热稳定性和可靠性。
该器件还具有较高的电流承载能力，可承受高达 44A 的连续漏极电流，适合用于大功率电源系统。IXFX44N50F 的封装形式为 TO-247AC，便于安装和散热，适用于多种工业级应用。
在安全性和保护方面，该 MOSFET 提供了良好的抗雪崩能力，能够在高能瞬态条件下保持稳定运行。此外，其快速恢复二极管特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
IXFX44N50F 主要用于各种高功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、UPS 系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、电池充电器和高频功率转换器等应用。
IXFH44N50P, IRF2807PBF, FDPF44N50
