类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流：470 A
　　最大漏源电压：100 V
　　最大栅源电压：20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.0 mΩ
　　最大功耗：160 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热
　　栅极电荷：180 nC
　　输入电容：3300 pF
　　输出电容：730 pF
　　反向恢复时间：35 ns

25RX30470MT810X16 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得器件在高电流应用中能够保持较低的导通损耗，从而提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽技术，能够在保持高性能的同时，降低开关损耗并提高器件的可靠性。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的最大漏极电流能力，能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。其 PowerPAK SO-8 封装具有双面散热功能，可以有效地将热量从芯片传导到外部环境，提高散热效率，确保器件在高负载条件下的稳定性。
　　该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损失，从而提高系统的整体效率。同时，其输入电容和输出电容的优化设计，使得 MOSFET 在高频开关应用中表现出色，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理等高频应用领域。
　　此外，该 MOSFET 还具有较强的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能，确保设备在极端环境下的可靠运行。

25RX30470MT810X16 主要应用于高功率、高效率的电源管理系统中。例如，它常用于服务器电源、电信电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制和电池管理系统等。其高电流能力和低导通电阻特性使其非常适合用于高功率密度的开关电源设计。
　　在服务器和数据中心应用中，该 MOSFET 可用于高效电源模块，以满足高能效标准（如 80 Plus）。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损耗，提高电源转换效率，降低散热需求。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关或同步整流器，用于提高转换效率，尤其是在高电流输出的情况下。其 PowerPAK SO-8 双面散热封装设计，使其能够有效地管理热量，适用于高功率密度设计。
　　此外，该 MOSFET 还广泛用于电机驱动电路中，提供高效的功率开关，确保电机控制系统的稳定性和响应速度。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制电路，确保安全高效的能量传输。

SiR182DP-T1-GE3, IPW90R120P6S