时间：2025/12/29 14:52:07
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IXFX27N80是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，主要用于高电压和高电流的应用。该器件具有优异的热性能和高可靠性的特点，适用于工业控制、电源转换、电机驱动和开关电源等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大漏极电流(Id)：27A
最大导通电阻(Rds(on))：0.26Ω
栅极电荷(Qg)：140nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散(Pd)：200W
IXFX27N80具有低导通电阻，能够显著减少功率损耗并提高系统效率。其高电压耐受能力（800V）使其适用于高电压工作环境，同时具备良好的过载和短路保护性能。该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，该器件的栅极驱动要求较低，便于与常见的控制电路配合使用。
另一个显著的特性是其出色的热稳定性，在高负载情况下仍能保持稳定的性能。这种MOSFET具有快速开关能力，可减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其耐用性和高可靠性使其成为工业应用中的首选器件。
IXFX27N80主要用于各种高功率电子设备中，包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、工业自动化设备、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器等。该器件的高性能和高可靠性使其成为这些应用中的关键组件。
IXFH28N80C, IRFP460, STF22N80K5, FQA24N80
