类型：NAND Flash + DDR
　　容量：64GB + 6GB
　　接口：eMCP
　　工作电压：1.8V / 2.5V
　　封装形式：FBGA
　　引脚数：200
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　传输速率：高达 400 MB/s

GXM32ER61C226KE20L 的主要特性包括以下几点：
　　1. 高集成度：将 NAND Flash 和 DDR 内存集成到单一芯片中，减少了 PCB 占用面积，适合空间受限的设计。
　　2. 低功耗设计：优化了电源管理功能，在待机和活动模式下均能实现更低的能耗。
　　3. 高可靠性：内置 ECC（错误检查与纠正）功能，确保数据在存储和传输过程中的完整性。
　　4. 快速读写速度：支持高速接口协议，提供卓越的数据吞吐性能。
　　5. 广泛的工作温度范围：适用于多种环境条件下的应用需求。
　　6. 稳定性强：通过严格的测试流程，确保长期使用的稳定性和耐用性。

GXM32ER61C226KE20L 主要应用于以下领域：
　　1. 智能手机和平板电脑：
　　 提供大容量存储和高效的内存支持，满足用户对多媒体和应用程序的需求。
　　2. 可穿戴设备：
　　 由于其小型化设计和低功耗特点，非常适合用于智能手表和其他可穿戴设备。
　　3. 车载信息娱乐系统：
　　 在车载环境中，其宽温特性和高可靠性使其成为理想选择。
　　4. 工业控制和物联网设备：
　　 为需要长时间运行且数据安全性要求高的工业设备提供稳定的存储解决方案。
　　5. 数字相机和摄像机：
　　 支持高分辨率图像和视频的快速存储和回放。

GXM32ER61C226KE21L, GXM32ER61C226KE19L