时间：2025/8/6 9:14:50
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IXFX25N90是IXYS公司生产的一款高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高功率的电力电子设备中。该器件设计用于高效能的开关应用，适用于如电源转换器、电机控制、不间断电源（UPS）、逆变器等系统中。IXFX25N90具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能，是需要高可靠性和高效率的电力电子系统中的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：25A
漏源击穿电压（VDS）：900V
栅源击穿电压（VGS）：±30V
最大功耗（PD）：400W
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXFX25N90具备多项优异的电气和热性能，能够满足高功率应用的需求。首先，其漏源击穿电压高达900V，使其能够承受高压环境下的工作条件，适用于高压直流电源和高电压开关系统。其次，该MOSFET的最大漏极电流为25A，能够在高电流负载下稳定运行，适用于高功率密度的开关电源和逆变器。此外，该器件的导通电阻仅为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。其封装形式为TO-247，这种封装提供了良好的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提升器件的稳定性和可靠性。此外，IXFX25N90的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端温度条件下正常工作，适应各种复杂的应用环境。最后，该MOSFET的栅源击穿电压为±30V，提供了较高的驱动灵活性和安全性，确保在各种驱动电路中的稳定运行。
IXFX25N90广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、UPS不间断电源、变频器、逆变器、电机驱动控制器、高电压DC-DC转换器等。在开关电源中，该器件可用于高电压输入的转换器，提供高效的功率转换能力。在UPS系统中，IXFX25N90可用于逆变器部分，实现交流电源的高效转换和稳定输出。此外，在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET可用于高性能电机驱动器，提供精确的电流控制和高效的功率输出。由于其高耐压能力和良好的热稳定性，IXFX25N90也可用于新能源系统，如太阳能逆变器和风能转换系统中，以支持高电压和高功率的应用需求。
IXFX25N80, IXFX30N90
