时间：2025/5/8 12:07:32
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RD3P200SNFRATL 是一款基于硅技术的高压功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它专为需要高效率和低损耗的应用而设计，例如开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器等。这款器件采用了先进的制造工艺，具备优异的开关性能和导通特性，同时具有较高的耐用性和可靠性。
该型号属于沟槽式 MOSFET 结构，能够在高频工作条件下提供出色的效率表现。其封装形式为 TO-247，适合大电流和高散热需求的应用场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：200A
栅极电荷：180nC
导通电阻：3.5mΩ
功耗：250W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装类型：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高额定漏源电压（Vds）使其适用于各种高压应用场景。
3. 快速开关能力，支持高频运行，有助于减小外部元件体积。
4. 内置雪崩保护功能，增强了器件在异常情况下的耐受能力。
5. 大电流承载能力，满足工业及汽车级应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
7. 高热稳定性，即使在极端温度环境下也能保持稳定性能。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 太阳能微逆变器
6. 电动汽车牵引逆变器
7. 充电器和适配器
8. 电池管理系统（BMS）中的功率路径管理
9. UPS 和其他备用电源系统
RD3P200SNFRHTL, IRFP260N, STP200N60F7
